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碳化硅快速退火炉,瑞乐碳化硅载盘简介

作者:admin 浏览量:59 来源:本站 时间:2022-09-19 15:22:48

信息摘要:

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瑞乐碳化硅载盘简介

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碳化硅载盘(也成碳化硅托盘)在半导体行业具有广泛应用CVDRTP/RTA真空溅射刻蚀、蒸镀、气体沉淀等,如,在对衬底进行刻蚀时,需通过碳化硅载盘承载半导体衬底

碳化硅载盘材质成分是纯SiC(纯度>99.9%),与石墨基载盘相比,其使用寿命是后者的四倍,且长期使用不变形,稳定性好,能够耐各种强酸强碱化学试剂腐蚀(比如FH酸、浓H2SO4)。SiC载盘还具有优秀的导热性、低膨胀系数抗热冲击性佳耐电浆冲击性等特点。

碳化硅载盘是采用高纯超细碳化硅微粉,通过静压工艺成型、2450高温烧结而成。可根据用户设计图纸要求进行外径、厚度尺寸,穴位数量、尺寸、取片槽位置和形状进行精加工,以满足用户的具体使用要求。

8基本参数

 

内容

参数

Material:

Pure Silicon | SiC

Wafer Diameter:

100/125/150/200/300mm根据客户要求定制

Wafer Thickness:

250~750um±25um根据客户要求定制

Pocket Size & Shape:

根据客户要求定制

Pocket Depth:

200~500um或视基盘厚度深度可调

Flat/or Notch:

Available

Others:

可加工异形槽、方形槽等;根据客户设计要求定制

 

8主要优势与特点

碳化硅载盘,可根据不同工艺其名称不一样,比如,碳化硅刻蚀盘,ICP刻蚀盘,LED刻蚀用碳化硅托盘(SIC托盘)等。其主要功能特点如下:

耐高温--1800℃温度下正常使用;

高热导性--和石墨材料的导热性相当;

硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼

耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀,抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝;

重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近;

不变形--极小的热膨胀系数;

抗热震--该材料可承受急剧的温度变化,抗热冲击,耐急冷急热,性能稳定。

 

8典型应用

·LED芯片制造中的RTP /RTA快速高温热处理工艺

·CVDMOCVD真空磁控溅射

·刻蚀、蒸镀、气体沉淀

 




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