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快速退火炉RTP-300RL

快速退火炉RTP-300RL产品介绍一、简介1.1 概要RTP-300RL是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,以红外可见光加热单片 Wafer或样品,工艺时间短,控温精度高,适用4-12英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。&n

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快速退火炉RTP-300RL产品介绍

一、简介
1.1 概要
RTP-300RL是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统,以红外可见光加热单片 Wafer或样品,工艺时间短,控温精度高,适用4-12英寸晶片。相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统,其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900软件控制系统,确保了极好的热均匀性。
 
 
1.2 产品特点

  •  红外卤素灯管加热,冷却采用风冷

  •  灯管功率PID控温,可精准控制温度升温,保证良好的重现性与温度均匀性

  •  采用平行气路进气方式,气体的进入口设置在Wafer表面,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好的温度均匀性

  •  大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理

  •  标配两组工艺气体,最多可扩展至6组工艺气体

  •  可测单晶片样品的最大尺寸为12英寸(300×300mm)

  •  采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施,全方位保障仪器使用安全

 
1.3 RTP行业应用

  •  氧化物、氮化物生长

  •  硅化物合金退火

  •  砷化镓工艺

  •  欧姆接触快速合金

  •  氧化回流

  •  其他快速热处理工艺

  •   离子注入激活

行业领域:

  •   芯片制造 生物医学 纳米技术

  •   MEMS LEDs 太阳能电池

  •   化合物产业 :GaAs,GaN,GaP,

  •   GaInP,InP,SiC

  •   光电产业:平面光波导,激光,VCSELs

 
 
 
二、技术规格
2.1参数

RTP-RL300
最大产品尺寸4-12英寸晶圆或者最大支持300×300mm产品
温度范围室温~1250℃
最高升温速度150℃/s
温度均匀度±1%
温控方式快速PID温控
降温速度200℃/min(1000~400℃)
腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体
腔体冷却方式水冷腔体,独立水冷源控制冷却
衬底冷却方式氮气吹扫
工艺气体MFC控制,常规两路气体,最大可扩充至6路气体

 
 
 
 快速退火炉RTP-300RL可制作的产品
 

 
 
 
 
 
  快速退火炉RTP-300RL生产线一览
 



技术规格
2.1参数

RTP-RL300
最大产品尺寸4-12英寸晶圆或者最大支持300×300mm产品
温度范围室温~1250℃
最高升温速度150℃/s
温度均匀度±1%
温控方式快速PID温控
降温速度200℃/min(1000~400℃)
腔体设计可配置大气常压腔体或者真空腔体
腔体冷却方式水冷腔体,独立水冷源控制冷却
衬底冷却方式氮气吹扫
工艺气体MFC控制,常规两路气体,最大可扩充至6路气体


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